伴随粒子法测量T(d,n)4He中子源注量率中的本底处理

• 作者: 于伟翔 仲启平 卢涵林 赵文荣 陈雄军
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: T(d,n)4He反应 中子注量率 金硅面垒探测器 伴随粒子法
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 130-133
• 页数: 4页
• 分类号: O571.54
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2005.02.008

摘要

T(d,n)4He反应单能中子源广泛应用于14 MeV中子的各种物理实验.采用伴随粒子法测量中子注量率,用金硅面垒探测器测量α粒子,用1 μm厚Al箔屏蔽散射的d束,经过各种条件下的调节,系统可很好地直接在能谱上分辨各种粒子,从而获得较高精度的中子注量率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于伟翔	中国原子能科学研究院核物理研究所	13	24	3.0	4.0
2	卢涵林	中国原子能科学研究院核物理研究所	6	14	2.0	3.0
3	仲启平	中国原子能科学研究院核物理研究所	2	10	1.0	2.0
4	陈雄军	中国原子能科学研究院核物理研究所	6	11	1.0	3.0
5	赵文荣	中国原子能科学研究院核物理研究所	2	10	1.0	2.0