LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长

• 作者: 刘玉资 张泽 曾兆权 杜小龙 梅增霞 英敏菊 薛其坤 袁洪涛 贾金锋 郑浩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO单晶薄膜 RF-MBE LSAT(111) 旋转畴 外延取向
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 82-86
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2062字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.022

摘要

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.