Si(100)衬底上取向生长La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜

• 作者: 张丽 梁宝龙 赵昆
• 来源期刊: 聊城大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 缓冲层 取向生长
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 基础科学研究
• 页码范围: 29-30
• 页数: 2页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6634.2005.02.010

摘要

利用对向靶磁控溅射方法在Φ60 mm Si(100)衬底上得到了择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜.当沉积温度为500℃时,在40 nm缓冲层SrMnO3上,La0.8Sr0.2MnO3薄膜沿(110)取向生长.提高沉积温度到750℃时,厚度为12 nm的SrMnO3缓冲层就可以实现La0.8Sr0.2MnO3薄膜的(110)取向择优生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁宝龙	聊城大学物理科学与信息工程学院	20	101	7.0	8.0
2	张丽		48	278	6.0	16.0
3	赵昆	聊城大学物理科学与信息工程学院	9	40	3.0	6.0