在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

• 作者: 刘宏玉 孙林林 石旺舟 程文娟 马学鸣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌薄膜 外延生长 过渡层 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 1132-1136
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2346字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.031

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能.结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马学鸣	华东师范大学物理系	26	277	10.0	16.0
2	程文娟	华东师范大学物理系	5	20	3.0	4.0
3	石旺舟	华东师范大学物理系	10	59	4.0	7.0
4	刘宏玉	华东师范大学物理系	3	30	3.0	3.0
5	孙林林	华东师范大学物理系	1	4	1.0	1.0