硅纳米晶的制备和电荷储存特性

• 作者: 吕森林 吴明红 李珍 焦正 王德庆
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶 纳米器件 电荷注入
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 927-930
• 页数: 4页
• 分类号: O447
• 字数: 1549字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.015

摘要

在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性.实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,同时可以在几秒内快速放电.电荷储存于纳米颗粒内部和表面,不会向外扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	焦正	上海大学射线应用研究所	57	394	10.0	18.0
2	李珍	上海大学射线应用研究所	15	59	5.0	7.0
3	吴明红	上海大学射线应用研究所	136	1075	16.0	27.0
4	吕森林	上海大学射线应用研究所	13	131	4.0	11.0
5	王德庆	上海大学射线应用研究所	14	74	5.0	8.0