电沉积法制备加速器生产109Cd用Ag靶

• 作者: 陈玉清
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: Ag靶 109Cd 电沉积
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 559-562
• 页数: 4页
• 分类号: TL503.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2005.06.020

摘要

采用电沉积法对加速器生产109Cd所用Ag靶的制备工艺进行研究.实验研究了电沉积过程中影响Ag靶层质量及厚度的主要因素,确定了Ag靶制备工艺条件和工艺参数:ρ(Ag+)=20～50 g/L,ρ(KNO3)=10～30 g/L,φ(NH4OH)=0.1～0.2;电流密度10～15 mA/cm2,电沉积时间2～3 h,室温.用此工艺条件制备出靶厚大于100 mg/cm2、表面光滑、镀层致密的Ag靶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈玉清	原子高科股份有限公司同位素事业部	7	13	2.0	3.0