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摘要:
采用温度补偿技术设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用N阱CMOS工艺实现.通过Cadence Spectres仿真和测试的结果表明,在-40~85℃的温度范围内,该电路输出基准电流的温度系数小于40ppm/℃,基准电流对电源电压的灵敏度小于0.1%.在3.3V电源电压下功耗仅为1.3mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种高性能CMOS基准电流源的设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 CMOS 基准电流源 低温漂 低功耗
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目 设计与开发
研究方向 页码范围 76-78
页数 3页 分类号 TN431.1
字数 1362字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.01.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡敏 华南理工大学应用物理系 47 250 10.0 13.0
2 李炜 华南理工大学应用物理系 5 31 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS
基准电流源
低温漂
低功耗
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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