CVD SiC致密表面涂层制备及表征

• 作者: 刘晓阳 刘荣军 周新贵 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 化学气相沉积 SiC涂层 制备工艺 性能表征
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 3-6
• 页数: 4页
• 分类号: TB323
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2005.04.001

摘要

考察了沉积温度、稀释气体流量对化学气相沉积(CVD)SiC涂层的显微结构及晶体结构的影响,分析得出:沉积温度为1100℃,稀释气体Ar流量<400mL/min时,制备的SiC涂层晶体结构完整、致密.在该制备工艺条件下沉积的SiC涂层密度为3.204 g/cm3,显微硬度为HV 4459.2,弹性模量为471GPa,涂层具有优异的光学加工性能,光学加工后表面粗糙度为0.429nm,能满足光学应用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	93	1060	19.0	27.0
3	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	49	729	16.0	24.0
4	刘荣军	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	29	360	13.0	18.0
5	刘晓阳	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	7	79	6.0	7.0