以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性

• 作者: 刘益春 单崇新 吕有明 张吉英 申德振 羊亿 范希武
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe量子点 ZnCdSe量子点 ZnSeS量子点 量子点的形成
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 专文
• 页码范围: 9-14
• 页数: 8页
• 分类号: O511.2|O482.31
• 字数: 3729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.01.002

摘要

用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,以Stranski-Krastanow(S-K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs).用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用.依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP-MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释.用LP-MOCVD技术,以VolmerWeber(V-W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释.