同轴谐振腔高阶横磁模式参数的研究

• 作者: 丁耀根 肖刘 董玉和
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高阶横磁模式 圆柱同轴谐振腔 特性阻抗 多注速调管
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 5629-5636
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 3182字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.12.023

摘要

理论计算和分析了微波圆柱同轴谐振腔高阶横磁(TM)模式的系列关联参数.研究发现:与圆柱腔相比,同轴谐振腔的TMn10模式有较大的模式间隔,即工作模式能够远离非工作模式的干扰,这有利于保持器件稳定的频率和功率;在保持腔长不变、腔横截面外半径取特定值时,腔内电场峰值位置的轴向特性阻抗随内径的变化存在极大值;在高频段可以采用任意大横截面的腔体结构和任意阶的模式.计算结果与仿真结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁耀根	中国科学院电子学研究所	112	1050	18.0	26.0
2	肖刘	中国科学院电子学研究所	36	168	8.0	10.0
6	董玉和	中国科学院电子学研究所	16	72	5.0	8.0