硅基光电集成器件研究进展

• 作者: 余金中 孙飞
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电集成 发光器件 光调制器 光探测器
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3086字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2005.01.010

摘要

随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作,外量子效率可达到0.1%;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到1GHz以上;而硅基光探测器对1300nm与1550nm波长的探测响应度也已分别达到了0.16mA/W和0.08mA/W.文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述,并着重对几种器件的结构及工作原理进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
2	孙飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	20	85	3.0	9.0