应用于DRAMs的钛酸锶钡薄膜的研究进展

• 作者: 杜军 杨志民 毛昌辉 邢光建
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: DRAMs 钛酸锶钡 薄膜 介电性能
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 本期专题:信息记录材料
• 页码范围: 102-104,113
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 字数: 3286字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.06.029

摘要

随着DRAMs存储密度的增加,传统材料已不再适用于将来的DRAMs技术的发展.在目前研究的新型替代材料中,钛酸锶钡以其优越的介电性能越来越引起人们的关注.介绍了随DRAMs的发展趋势,钛酸锶钡薄膜的研究进展,包括其制备方法、研究状况及影响其介电性能的因素,并提出了下一步研究工作中需要解决的几个问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	毛昌辉		60	564	12.0	21.0
3	杨志民		40	363	9.0	17.0
4	邢光建		3	34	3.0	3.0