CuO、V2O5掺杂(1-x)BiNbO4-xZnTaO6的介电性能

• 作者: 丁士华 姚熹 袁力
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 微波介质陶瓷 介电性能 低温烧结 复相
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-22
• 页数: 3页
• 分类号: TM28|TN61
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.03.007

摘要

对CuO、V2O5掺杂的(1-x) BiNbO4-xZnTaO6(x=0.05～0.15)陶瓷体系结构和介电性能进行了研究.试验结果表明,940℃以下,体系为斜方BiNbO4和斜方ZnTaO6的复相结构;掺杂CuO、V2O5使得体系在较低温度下即可烧结成瓷,随着(1-x) BiNbO4-xZnTaO6体系中x的增加,陶瓷表观密度上升,εr下降,温度系数、损耗则呈增加趋势.x=0.05,910℃烧结保温2 h有较好的微波性能,εr约为40,Q·f值达25 000 GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚熹	同济大学功能材料研究所	123	956	16.0	21.0
2	丁士华	同济大学功能材料研究所	15	66	5.0	7.0
3	袁力	同济大学功能材料研究所	1	0	0.0	0.0