N2分子二聚物在352.3 nm处增益特性研究

• 作者: 申作春 高惠德 鲁建业
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 放大自发辐射 二聚物 增益
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 10-15
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.2+1
• 字数: 3496字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2005.01.003

摘要

利用微波放电激励高纯氮,并采用放大自发辐射法,研究了不同微波激励功率和不同N2气压条件下N2分子二聚物352.3 nm辐射的增益特性.给出了沿放电管轴线N2分子二聚物352.3 nm辐射的小信号增益系数随微波激励功率和充入放电管N2气压变化的规律.研究结果表明当微波功率大于100 W时,充入N2气压在330～1 800 Pa范围内,N2分子二聚物在352.3 nm处存在受激辐射特性.当微波功率为500 W,充入放电管的N2气压为1 100 Pa时,N2分子二聚物352.3 nm辐射的小信号增益系数最大为1.08% cm-1.另外,还给出了N2分子二聚物352.3 nm辐射增益沿放电管径向分布情况. N2分子二聚物352.3 nm辐射的增益系数在放电管中心最小,接近管壁时最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁建业	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	22	153	5.0	12.0
2	申作春	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	18	125	6.0	11.0
3	高惠德	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	19	147	5.0	12.0