Er离子注入Si和SiO2/Si溅射和外扩散对浓度分布的影响

• 作者: 刘安东 吴瑜光 张通和 肖志松
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: Er离子注入硅,SiO2,金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源,溅射,深度剖面分布
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 205-208
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.03.010

摘要

利用金属蒸发真空弧(MEVVA)离子源引出的Er离子对单晶硅和单晶硅衬底上的SiO2膜进行了离子注入,用背散射方法分析了不同注入条件下Er原子浓度分布.实验结果表明,离子注入突破了平衡生长方法掺Er硅溶解度的限制,实现了离子的高浓度掺杂.在硅和氧化硅中,最大Er体浓度分别达到4.71×1021 cm-3和7.67×102 cm-3,远超过了常规方法所能得到的Er掺杂浓度.但是由于Er离子重,射程短而溅射效应强,因此限制了Er原子浓度的进一步提高.在注量相同时,随束流密度的增加,Er外扩散效应增加.用快速退火热处理可消除部分辐射损伤,但是退火也引起了Er原子的外扩散.本文中给出了溅射和外扩散引起的Er原子丢失量与注入条件和退火条件的关系,给出了获得高浓度Er的途径.Er注入单晶硅和热氧化硅,随注量的增加Er保留量逐渐达到饱和,饱和量接近2×1017cm-2,而丢失量增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘安东		10	52	4.0	7.0
2	张通和		7	30	4.0	5.0
3	吴瑜光		4	13	2.0	3.0
4	肖志松		3	7	1.0	2.0