硅基一维光子晶体微腔光发射特性的调制

• 作者: 徐俊 李伟 钱波 陈三 陈坤基 马忠元 魏俊伟 黄信凡
• 来源期刊: 江西科学
• 关键词: 光子晶体 光学微腔 光致荧光
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 理论探讨
• 页码范围: 317-318,342
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3679.2005.04.007

摘要

利用一维光子晶体带隙结构对光发射特性进行调制,采用掺杂光子晶体微腔限制电磁场从而控制材料中的光传输.采用不同组分的氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜作为介质层和发光层,由等离子体化学气相淀积(PECVD)方法制备出一维全a-SiNx:H光子晶体微腔.观察到微腔对于发光层a-SiNx:H薄膜光致荧光显著的调制作用,发光峰的半高宽从原始的208 nm强烈的窄化为11 nm,峰值强度提高了2个数量级,品质因子为69.通过透射谱测量,清晰地观察到710 nm处的谐振峰出现在一维光子晶体带隙中,进一步证实了微腔的选模特性.