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摘要:
通过对1μm金属/半导体接触孔链样品施加高应力的加速寿命试验和室温下的噪声频谱测量,得到了1/f噪声、10Hz点频功率谱特征及其变化规律.实验中发现应力前后1/f噪声10Hz点频功率谱有明显的变化.对比实验中电阻和噪声的变化,噪声变化量是电阻变化量的1304倍.1/f噪声可以作为金属/半导体接触孔可靠性的灵敏表征参量.
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文献信息
篇名 金属/半导体接触孔噪声特性研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 金属/半导体接触孔 1/f噪声 可靠性
年,卷(期) 2005,(5) 所属期刊栏目 支撑技术
研究方向 页码范围 58-61
页数 4页 分类号 TN34
字数 2393字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.05.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜磊 西安电子科技大学技术物理学院 99 486 13.0 18.0
2 包军林 西安电子科技大学技术物理学院 43 306 10.0 16.0
3 单霞 西安电子科技大学技术物理学院 1 1 1.0 1.0
4 万长兴 西安电子科技大学技术物理学院 3 11 1.0 3.0
传播情况
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2009(1)
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研究主题发展历程
节点文献
金属/半导体接触孔
1/f噪声
可靠性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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