基于渐变组分体材料InGaAs的宽带长波长超辐射二极管

• 作者: 丁颖 周帆 王圩 王宝军 阚强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 超辐射二极管 渐变组分 掩埋异质结构
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2309-2314
• 页数: 6页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.12.010

摘要

研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半高全宽为72nm,覆盖范围从1602到1674nm.发射谱光滑、平坦,光谱波纹在1550到1700nm的范围内小于0.3dB.室温连续工作,注入电流200mA下,器件获得了4.3mW的出光功率.器件适用于气体探测器和L-band光纤通信的光源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王圩	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	47	124	6.0	7.0
2	阚强	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	11	44	4.0	6.0
3	周帆	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	28	59	4.0	5.0
4	王宝军	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	27	315	8.0	17.0
5	丁颖	中国科学院半导体研究所光电子研发中心	5	44	3.0	5.0