用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 显示驱动 高压CMOS器件 0.8μm CMOS工艺 模拟
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 678-683
• 页数: 6页
• 分类号: TN402|TN453
• 字数: 1987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.05.025

摘要

在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟.由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化.器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm.高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm.高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础.