用于四结电池的InGaAsN材料研究

• 作者: 乔在祥 赵新杰 陈文浚
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD 转换效率 外延
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 915-919
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 1947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.032

摘要

随着InGaP2/InGaAs/Ge三结太阳电池技术日趋成熟,具有更高理论效率的基于GaAs体系的四结电池新材料AlInGaP/InGaAs/?(新材料)/Ge已经受到人们的关注,经过计算,要求新材料的禁带宽度应该为0.95eV～1.05eV.InxGa1-xAs1-xNy材料的禁带宽度可以调整为0.95eV～1.05eV,是有望实现突破的材料.我们通过选取合适的生长方案,在D180MOCVD系统上外延生长了InxGa1-xAs1-yNy材料,并通过高分辨X光双晶衍射仪、分光光度计以及电化学电容-电压(EC-V)测试仪等对材料性能进行了分析.获得了室温下禁带宽度为1.17eV的InxGa1-xAs1-xNy材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵新杰	南开大学信息技术科学学院	52	116	6.0	7.0
2	乔在祥	南开大学信息技术科学学院	6	76	4.0	6.0
4	陈文浚		4	61	3.0	4.0