用化学气相反应法在石墨基体上制备SiC涂层

• 作者: 付志强 唐春和 梁彤祥
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: SiC涂层 化学气相反应 石墨
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 结构材料及核材料使用性能
• 页码范围: 79-82
• 页数: 4页
• 分类号: TL342|TQ163.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2005.z1.017

摘要

石墨是建造高温气冷堆的主要材料,提高其抗氧化性能可以进一步改善高温气冷堆安全性.本文对利用化学气相反应法(CVR)在高温气冷堆燃料元件基体石墨上制备SiC涂层的工艺进行了探讨,利用XRD、Raman谱及SEM对制备的SiC涂层进行了分析.结果表明,可以获得单一β-SiC相的SiC涂层,涂层与基体之间具有良好的梯度过渡;但由于在涂层中存在一定的孔隙,仅用CVR制备的SiC涂层不能很好地改善石墨的抗氧化性能,将此方法和其他方法结合起来可以获得低成本的、均匀的SiC抗氧化涂层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁彤祥	清华大学核能与新能源技术研究院	51	422	12.0	18.0
2	唐春和	清华大学核能与新能源技术研究院	40	239	9.0	13.0
3	付志强	清华大学核能与新能源技术研究院	7	47	4.0	6.0