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摘要:
从理论上对光电阴极面发射电子过渡过程进行分析,光电阴极面电阻是影响光电发射过渡过程的主要因素.通过对光电阴极制备技术改造,使二代近贴聚焦像增强器的管子时间响应小于2ns.
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文献信息
篇名 二代近贴聚焦像增强器纳秒响应技术研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 近贴聚焦像增强器 光电阴极 纳秒时间响应
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 47-49
页数 3页 分类号 TN114
字数 1859字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.01.012
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐江涛 西安应用光学研究所二室 21 106 6.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
近贴聚焦像增强器
光电阴极
纳秒时间响应
研究起点
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期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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