侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察

• 作者: 于彤军 任谦 张国义 张振声 徐军 李忠辉 杨志坚 潘尧波 秦志新 章蓓 童玉珍 胡晓东 陆敏 陆羽 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 侧向外延生长 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1194字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.01.013

摘要

在有条状SiO2图形的GaN"模板"上,侧向外延方法生长了高质量的GaN.荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生.原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心.在GaN层的厚度达到4.5μm后,侧向的融合开始发生.侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同.在所有的SiO2掩膜上方都形成了空洞.样品在240℃熔融的KOH中腐蚀13min.在SiO2掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零.而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到108cm-2量级.同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关.室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放.