γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究

• 作者: 刘世良 周国清 周圣明 干福熹 庄漪 彭观良 徐军 王银珍 邹军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 晶体生长 提拉法 γ-LiAlO2 LiAl1-xGaxO2 掺质
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 399-402
• 页数: 4页
• 分类号: O771
• 字数: 3017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.004

摘要

由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1.