用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO2薄膜

• 作者: 张跃 李丽娜 谷景华 路浩天
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD TiO2薄膜 取向性
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 902-906
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 2896字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.029

摘要

采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下分别在Si(100)和玻璃基片上制备TiO2薄膜.当气化室温度为140℃,基片温度为350℃时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱中只出现了锐钛矿相(200)晶面的衍射峰,表明此时薄膜高度取向,在Si(100)基片上生长的TiO2薄膜也有取向性.通过SEM观察高度取向的TiO2薄膜表面出现四边形的微结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷景华	北京航空航天大学材料学院	22	133	6.0	10.0
2	张跃	北京航空航天大学材料学院	74	543	14.0	19.0
3	李丽娜	北京航空航天大学材料学院	7	59	4.0	7.0
4	路浩天	北京航空航天大学材料学院	1	18	1.0	1.0