超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究

• 作者: 于英霞 侯志刚 张宪敏 李惠军 许新新
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 超大规模集成电路 特征尺寸 超深亚微米 小尺寸效应 失效 可靠性
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析与研究
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2005.12.017

摘要

集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次.小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命.本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的诱因分析及器件,重点剖析了陷阱效应、短沟效应、热载流子效应和栅氧击穿对器件可靠性的影响.在此基础上,提出了抑制小尺寸效应、提高器件失效阈值、保障器件可靠性的若干工艺措施.