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摘要:
在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系.模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化.最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好.
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文献信息
篇名 Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子
来源期刊 量子电子学报 学科 物理学
关键词 光电子学 Ⅲ-Ⅴ族混晶 MREI 光学声子 近邻力常数
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目 半导体光电
研究方向 页码范围 440-445
页数 6页 分类号 O471
字数 3035字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 范广涵 华南师范大学光电子材料与技术研究所 147 1064 16.0 26.0
2 陈练辉 华南师范大学光电子材料与技术研究所 11 27 3.0 4.0
3 李华兵 华南师范大学光电子材料与技术研究所 6 6 2.0 2.0
4 吴文光 华南师范大学光电子材料与技术研究所 6 6 2.0 2.0
5 熊予莹 华南师范大学物理系 38 421 11.0 19.0
6 刘颂豪 华南师范大学信息光电子科技学院 308 3297 27.0 39.0
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1007-5461
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1984
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