内部硅化法制备低成本C/SiC复合材料

• 作者: 崔红 李贺军 王涛 闫联生
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 液相渗硅技术 碳/碳化硅复合材料 界面涂层 硅化处理
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 41-44,52
• 页数: 5页
• 分类号: TB323
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2005.09.011

摘要

采用内部硅化法制备了低成本C/SiC复合材料,通过三点弯曲法表征了复合材料的强度,采用X射线衍射(XRD)分析了基体组成,通过扫描电镜(SEM)研究了纤维/基体界面和复合材料断裂面的微观结构.结果表明,纤维表面沉积CVD-SiC保护涂层能够有效保护碳纤维不被硅侵蚀,调整硅粉和酚醛树脂配比使C∶Si摩尔比等于10∶ 9,可消除SiC基体中的残余自由硅.研制的低成本2D C/SiC复合材料的弯曲强度和剪切强度分别达到247MPa与13.6MPa.2D C/SiC复合材料的断裂行为呈现韧性破坏模式,在断裂面存在大量的拔出纤维,复合材料的断裂韧性(KIC)达到12.1MPa·m1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺军	西北工业大学材料学院	351	3778	28.0	39.0
2	崔红		106	692	14.0	19.0
3	闫联生	西北工业大学材料学院	8	188	8.0	8.0
4	王涛		7	104	5.0	7.0