功率场效应晶体管MOSFET（二）

• 作者: 周志敏
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率场效应晶体管 MOSFET 功率半导体器件 导通电阻
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN386

摘要

3高压MOSFET原理与性能分析 在功率半导体器件中，MOSFET因其高速、低开关损耗、低驱动损耗的特点而在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET无竞争对手，但随着MOS耐压的提高，导通电阻以2．4～2．6次方增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志敏	山东莱芜钢铁集团公司动力部	69	134	5.0	11.0