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摘要:
GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.
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高亮度InGaN基白光LED特性研究
光源
InGaN
YAG
白光LED
高亮度GaN基蓝色LED的研究进展
GaN
蓝色LED
欧姆接触
刻蚀
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展
来源期刊 量子电子学报 学科 工学
关键词 光电子学 半导体材料 GaN 蓝光LED 白光LED
年,卷(期) 2005,(5) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 673-679
页数 7页 分类号 TN312.8|TN204
字数 5166字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郝跃 西安电子科技大学微电子研究所 312 1866 17.0 25.0
2 李培咸 西安电子科技大学微电子研究所 36 324 10.0 17.0
3 刘坚斌 西安电子科技大学微电子研究所 1 85 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (37)
共引文献  (115)
参考文献  (15)
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研究主题发展历程
节点文献
光电子学
半导体材料
GaN
蓝光LED
白光LED
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
量子电子学报
双月刊
1007-5461
34-1163/TN
大16开
安徽省合肥市1125邮政信箱
26-89
1984
chi
出版文献量(篇)
2856
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6
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17822
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