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高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展
高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展
作者:
刘坚斌
李培咸
郝跃
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光电子学
半导体材料
GaN
蓝光LED
白光LED
摘要:
GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击.简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了白光LED的常用制备方法以及最新的研究成果.最后,提出了需要着重解决的问题.
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文献信息
篇名
高亮度GaN基蓝光与白光LED的研究和进展
来源期刊
量子电子学报
学科
工学
关键词
光电子学
半导体材料
GaN
蓝光LED
白光LED
年,卷(期)
2005,(5)
所属期刊栏目
综述
研究方向
页码范围
673-679
页数
7页
分类号
TN312.8|TN204
字数
5166字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1007-5461.2005.05.001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
郝跃
西安电子科技大学微电子研究所
312
1866
17.0
25.0
2
李培咸
西安电子科技大学微电子研究所
36
324
10.0
17.0
3
刘坚斌
西安电子科技大学微电子研究所
1
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研究主题发展历程
节点文献
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半导体材料
GaN
蓝光LED
白光LED
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
量子电子学报
主办单位:
中国光学学会基础光学专业委员会
中国科学院合肥物质科学研究院
出版周期:
双月刊
ISSN:
1007-5461
CN:
34-1163/TN
开本:
大16开
出版地:
安徽省合肥市1125邮政信箱
邮发代号:
26-89
创刊时间:
1984
语种:
chi
出版文献量(篇)
2856
总下载数(次)
6
总被引数(次)
17822
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