静电感应晶体管的空间电荷效应

• 作者: 刘肃 张福甲 李思渊 王永顺 陈金伙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电感应晶体管 空间电荷效应 空间电荷势垒 沟道势垒 SCLC CVBC
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 423-428
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.6
• 字数: 1975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.001

摘要

研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.