铈掺杂对PSN-PZN-PMS-PZT压电陶瓷性能的影响

• 作者: 孙清池 孙琳 徐明霞 陆翠敏
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 关键词: 二次合成 五元系压电陶瓷 准同型相界 铈掺杂 介、压电性能
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 33-35,40
• 页数: 4页
• 字数: 2481字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.01.008

摘要

采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷.研究准同型相界组成点处铈掺杂对压电陶瓷介、压电性能影响.结果发现随着CeO2的添加,介电常数增加,居里温度降低;压电常数增加;机械品质因数和机电耦合系数下降;铈掺杂在强场下对该系统介电性能的影响基本上和弱场下的变化趋势相近,随着外加场强的增加,介电常数和介电损耗增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐明霞	天津大学材料科学与工程学院	98	1316	19.0	31.0
2	孙清池	天津大学材料科学与工程学院	51	519	13.0	20.0
3	陆翠敏	天津大学材料科学与工程学院	20	126	7.0	10.0
4	孙琳	天津大学材料科学与工程学院	8	115	5.0	8.0