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摘要:
在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了AgGaS2多晶粉末衍射谱,以及单晶体的红外透射谱,同时得到了(112)、(024)面的X射线单晶衍射谱,结果表明生长的单晶体可用于器件研究.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 硫镓银单晶生长新方法探索
来源期刊 人工晶体学报 学科 化学
关键词 硫镓银 多晶合成 单晶生长 坩埚下降法
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 505-508
页数 4页 分类号 O611|O782
字数 1204字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.027
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱世富 四川大学材料科学系 151 840 14.0 20.0
2 张伟 广东工业大学应用物理系 244 1768 20.0 33.0
6 赵北君 四川大学材料科学系 132 744 14.0 19.0
7 张建军 四川大学材料科学系 21 164 7.0 12.0
8 刘敏文 四川大学材料科学系 5 26 4.0 5.0
9 李一春 四川大学材料科学系 6 34 4.0 5.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
硫镓银
多晶合成
单晶生长
坩埚下降法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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