常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶

• 作者: 叶甜春 李海江 王守国 赵玲利
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大气压 冷等离子体 光刻胶 刻蚀
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 613-617
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.036

摘要

介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性.利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果,研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响,在放电功率为300W时,得到刻蚀速率接近500nm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
2	王守国	中国科学院微电子研究所	28	193	8.0	13.0
3	赵玲利	中国科学院微电子研究所	10	100	6.0	10.0
4	李海江	中国科学院微电子研究所	2	25	2.0	2.0