垂直腔面发射激光器的氧化工艺研究

• 作者: 刘春玲 姜晓光 王晓华 谢浩锐 赵英杰 郝永芹 钟景昌
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 布拉格反射镜 氧化物限制 氧化速率
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 124-127
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.02.012

摘要

在垂直腔面发射激光器(VCSEL)中常用氧化物限制结构来对其进行电流和光场的限制.分别从氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面讨论研究了它们对Al0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响.最后得到最佳氧化条件:氧化温度为422℃,氧化载气的气体流量为1.5 L/min,氧化速率为0.6μm/min.用在此最佳氧化条件下氧化的外延片制成VCSEL器件,室温下其阈值电流大约为1.8 mA,最大输出功率为7.96 mW.