衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 叶志镇 吕建国 曾昱嘉 朱丽萍 李丹颖 赵炳辉
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-ZnO 磁控溅射 共掺
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 750-754
• 页数: 5页
• 分类号: TN304|O484
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.03.038

摘要

目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射光谱为表征手段,研究了不同衬底温度对Al+N共掺p-ZnO薄膜电学、光学、结晶性能的影响,并从N2O的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜性能差异的原因.在最佳衬底温度(500℃)时,p-ZnO薄膜空穴浓度达2.52×1017cm-3,电阻率为28.3Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
5	曾昱嘉	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	71	5.0	8.0
6	李丹颖	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	13	1.0	1.0