脉冲占空比对纯铝微弧氧化膜的影响

• 作者: 翁海峰 蔡珣 陈秋龙 鲍明东
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微弧氧化 脉冲 占空比 铝 氧化膜
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺研究
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: TG174.451
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2005.05.019

摘要

为研究交流脉冲电源占空比的变化对纯铝微弧氧化的影响,设计了在恒流条件下(J=75mA·cm-2)进行从2%到18%不同占空比下对纯铝进行微弧氧化实验.研究发现,陶瓷膜的主要成分为稳定态的α-Al2O3和亚稳态的γ-Al2O3,随着占空比的提高,α-Al2O3逐渐成为氧化膜的主要成分,而氧化膜的表面则越来越粗糙.当占空比为10%时,得到最大的氧化膜厚度和最佳的氧化膜截面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡珣		76	873	16.0	25.0
2	陈秋龙		48	513	11.0	21.0
3	翁海峰		2	67	2.0	2.0
4	鲍明东		1	61	1.0	1.0