Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展

• 作者: 沈光地 郭霞 马丽娜
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ族氮化物 湿法腐蚀 ICP刻蚀
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 274-279
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 5283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.002

摘要

随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀、ICP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京市光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学北京市光电子技术实验室	54	397	11.0	16.0
3	马丽娜	北京工业大学北京市光电子技术实验室	2	10	2.0	2.0