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摘要:
介绍了如何通过测量得出的等效扩散长度和光刻机的照明条件来对任何光刻工艺的线宽均匀性进行评估.展示了在0.13μm及以下工艺中等效扩散对能量裕度和掩模版误差因子的影响的研究结果.
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应用
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214-磺酰氯
生产方法
应用
采用等效特征扩散长度计算微波击穿电场
特征扩散长度
击穿
微波
电场
紫外压印光刻中阻蚀胶残膜刻蚀工艺
紫外压印
阻蚀胶
残膜
反应离子刻蚀
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 光刻胶等效扩散长度对O.13μm 工艺窗口的影响
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 等效扩散长度 像对比度 能量裕度 光刻
年,卷(期) 2005,(7) 所属期刊栏目 制造技术
研究方向 页码范围 39-42,59
页数 5页 分类号 TN305.7
字数 2681字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.07.012
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研究主题发展历程
节点文献
等效扩散长度
像对比度
能量裕度
光刻
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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