TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件

• 作者: 海潮和 连军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FDSOI CMOS 中间禁带功函数 TiN
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.002

摘要

制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件,并对其关键工艺进行了详细阐述.相对于双多晶硅栅器件,在不改变阈值电压的前提下,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度,进而提高迁移率.由于TiN的功函数处于中间禁带,在几乎相同的调整阈值注入剂量下,可以得到对称的阈值电压.当顶层硅膜厚度减小时,可以改善短沟道效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	连军	中国科学院微电子研究所	6	15	3.0	3.0