混合物理化学气相沉积法制备Al2O3衬底MgB2薄膜性质的研究

• 作者: 丁莉莉 冯庆荣 姚丹 庄承钢 张开诚 熊光成 陈晋平 陈莉萍
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgB2薄膜 X-光衍射图 SEM图 R～T曲线 M～H曲线
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 919-925
• 页数: 7页
• 分类号: O51
• 字数: 3566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.101

摘要

我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起始转变温度Tc(onset)＝40.3K,转变宽度ΔT为0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,剩余电阻比率RRR=R300K/R50K=10.样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜具有较好的c轴取向,晶粒大小约200nm.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=7.6×106A/cm2,不同磁场下测得R～T曲线可以外推得到Hc2(0K)约10T.这些结果表明HPCVD技术在MgB2薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.