磁控溅射制备增透ITO薄膜及其性能研究

• 作者: 乔学亮 李世涛 王洪水 贾芳 陈建国
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 氧流量 ITO薄膜 室温 增透
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+2
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2005.11.006

摘要

用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO(In2O3: SnO2=1:1)薄膜.质量流量计调节氩气压强PAr为0.2～3.0Pa,氧流量fO2为0～10sccm,并详细探讨了溅射时PAr和fO2变化对ITO薄膜光学性能的影响.结果表明:fO2的改变引起薄膜中氧空位浓度变化而影响ITO薄膜折射率n;fO2对ITO靶材表面的溅射阀值和对Ar+散射而改变溅射速率.衬底表面粗糙度对ITO薄膜的折射率测量准确性有较大影响.PAr为0.8Pa,fO2为2.4sccm,薄膜厚度为241.5nm时,nmin＝1.97,最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9(Ω/□,电阻率为8.8×10-4(Ω·cm.AFM分析表明薄膜表面针刺很少,表面平整(RMS=3.04nm).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建国	华中科技大学模具技术国家重点实验室	117	1905	22.0	38.0
2	乔学亮	华中科技大学模具技术国家重点实验室	89	1799	21.0	38.0
3	李世涛	华中科技大学模具技术国家重点实验室	16	435	11.0	16.0
4	贾芳	华中科技大学模具技术国家重点实验室	2	39	2.0	2.0
5	王洪水	华中科技大学模具技术国家重点实验室	7	304	7.0	7.0