GaN 紫外焦平面注入效率研究

• 作者: 亢勇 张松 徐运华 方家熊 李雪 谢文青
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 焦平面 注入效率
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 60-63,66
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.z1.017

摘要

对CTIA和DI注入结构的GaN pin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究.测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方家熊		39	184	7.0	11.0
4	张松	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	34	440	11.0	20.0
8	李雪	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	64	465	12.0	19.0
9	亢勇	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	8	45	5.0	6.0
13	徐运华	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	6	32	4.0	5.0
14	谢文青	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	4	23	3.0	4.0