基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件

• 作者: 何开全 刘伦才 刘嵘侃 刘玉奎 刘道广 张静 徐世六 徐婉静 徐学良 李开成 李荣强 郝跃 陈光炳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准 空气桥 SiGe合金材料
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 528-531
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 1283字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.03.020

摘要

在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax＝157GHz的SiGe HBT器件.