AlGaN PIN紫外探测器的结构及性能分析

• 作者: 周小伟 张春福 李培咸 邵波涛 郝跃
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN p-i-n 光电探测器 可见光盲区 太阳盲区
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 421-427
• 页数: 7页
• 分类号: TH744
• 字数: 5264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.02.051

摘要

AlGaN基光电探测器在军事高科技和民品市场通讯和成像方面具有很高的价值.分析了AlGaN p-i-n光电探测器的结构对性能的影响,深入阐述了AlGaN p-i-n光电探测器制造与设计中所面临的深层次问题,并对其工艺和结构性能分析的基础上特别介绍了p-GaN/i-AlGaN/n-GaN结构,并对其结构进行了改进,得到了改进的SLS/AlGaN/GaN结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	李培咸	西安电子科技大学微电子所	36	324	10.0	17.0
3	周小伟	西安电子科技大学微电子所	8	31	3.0	5.0
4	邵波涛	西安电子科技大学微电子所	2	25	2.0	2.0
5	张春福	西安电子科技大学微电子所	3	20	3.0	3.0