微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱

• 作者: 孙建 宋红 朱锋 王岩 耿新华 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-PECVD 微晶硅 OES 等离子体
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 621-625
• 页数: 5页
• 分类号: TK511+.4
• 字数: 1647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2005.05.005

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶硅薄膜材料.光发射谱(OES)测量技术对等离子体辉光进行在线监测、分析,能够对等离子体中的生成物进行判别.实验表明,随着硅烷浓度的增加,等离子体中SiH*、H*β、H*α和H*2缓慢增大,而H*α/SiH*单调下降;随着辉光功率的增大,H*α迅速增大,而SiH*、H*β和H*2趋于饱和,H*α/SiH*单调上升;等离子体的辉光强度主要跟SiH*、H*β和H*2数量成正比.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锋	南开大学光电子所	13	154	7.0	12.0
2	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
3	孙建	南开大学光电子所	67	311	10.0	14.0
4	赵颖	南开大学光电子所	105	1195	16.0	33.0
5	魏长春	南开大学光电子所	24	126	6.0	10.0
6	王岩	南开大学光电子所	4	4	1.0	2.0
7	宋红	南开大学光电子所	4	8	2.0	2.0