高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究

• 作者: 张谢群 曾中明 李飞飞 杜关祥 王天兴 韩秀峰 魏红祥
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁性隧道结 隧穿磁电阻 金属掩模法 光刻法
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3831-3838
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 4464字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.063

摘要

利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4 nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1.0或0.8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%-48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5 nm)/Cu(25 nm)/Ni79Fe21(5 nm)/Ir22Mn7s(10 nm)/Co75F25(4 nm)/Al(0.8 nm)-O/Co75Fe75(4 nm)/Ni79Fe21(20 nm)/Ta(5 nm).同时,利用刻槽打孔法和去胶掀离法两种光刻技术并结合Ar离子束刻蚀及化学反应刻蚀,制备出面积在4 μm×8 μm-20 μm×40μm、具有室温高TMR和低电阻的高质量磁性隧道结.300℃退火前后其室温TMR可分别达到22%和50%.研究结果表明,采用光刻中的刻槽打孔或去胶掀离工艺方法制备的小尺寸磁性隧道结,可用于研制磁动态随机存储器和磁读出头及其他传感器件的磁敏单元.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李飞飞	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	8	114	4.0	8.0
2	魏红祥	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	32	32	2.0	5.0
3	王天兴	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
4	曾中明	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	7	10	2.0	3.0
5	张谢群	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
6	杜关祥	中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室	1	4	1.0	1.0