应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟

• 作者: 屠荆 张瑞智 杨荣 罗晋生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 应变锗硅 P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 亚阈值特性 模型 模拟
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 516-519,523
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1|TN432
• 字数: 2795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.015

摘要

通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGe PMOSFET垂直结构参数的变化关系.模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比Si PMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗晋生	西安交通大学微电子研究所	28	194	7.0	13.0
2	屠荆	西安交通大学微电子研究所	3	8	2.0	2.0
6	杨荣	西安交通大学微电子研究所	10	40	4.0	6.0
7	张瑞智	西安交通大学微电子研究所	21	145	7.0	11.0