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摘要:
为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜.探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理.对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150~400 nm为宜,一般膜厚在250 nm时较为敏感.在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3 min缩短到0.5s以下.
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文献信息
篇名 磁控反应溅射SnO2薄膜的气敏特性研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 电子技术 磁控反应溅射 二氧化锡薄膜 气敏特性
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 4-6
页数 3页 分类号 TN305.92|TN304.2
字数 2495字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.01.003
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作者信息
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1 李朝林 淮安信息职业技术学院电子与信息工程系 17 51 5.0 6.0
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电子元件与材料
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51-1241/TN
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成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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