n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应

• 作者: 伍登学 刘畅 袁菁 钟志亲 龚敏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN紫外光探测器 肖特基势垒 电子辐照 辐照失效 金属/半导体界面 退火
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.01.007

摘要

研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理.从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大.辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长光的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加.同时,对辐照后的GaN肖特基紫外光探测器进行了100℃以下的退火处理,退火后,器件的电流-电压特性有所改善.